محمد طارق حسن محمد عليوة
أستاذ مساعد متفرغ
“Double-gate Silicon on insulator transistor with volume inversion A new device with greatly enhanced performance” IEEE Electron Device Lett., vol. EDL-8, pp. 410—413.
• 1987
معلومات البحث
المؤلفون
F. BALESTRA, S. GRISTOLOVEANU, M. BENACHIR., J. BRINI and T. ELEWA
الكلمات المفتاحية
Not Available
المجلة العلمية
Not Available
الناشر
Not Available
المجلد
Not Available
العدد
Not Available
الصفحات
Not Available
publication.type
International
رابط البحث
Not Available
المواد المرفقة
Not Available
الملخص
Not Available